Диагностика буферных слоев многослойных эпитаксиальных структур из GaAs методом фотолюминесценции
Белоусов П.С.1, Гурошев В.И.1, Тагер А.С.1, Федоров Ю.Ю.1
1Государственное научно-производственное предприятие ''Исток'', Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 10 января 1996 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1996 г.
Изучены спектры фотолюминесценции (T=77 и 4.2 K) многослойных эпитаксиальных структур из GaAs, выращенных на полуизолирующей подложке. Проведен сопоставительный анализ содержания фоновых примесей и дефектов в высокоомных буферных слоях с величиной их проводимости. Показано, что метод фотолюминесценции можно использовать для диагностики буферных слоев. Основным критерием совершенства слоев является отсутствие в них достаточно глубоких примесных и структурных дефектов типа D-V Ga, Ga As(D-V Ga), V As- ZnGa, V As- SiAs (D - дефект донорного типа), ответственных за полосы фотолюминесценции с энергией максимума излучения 1.20, 1.32, 1.35, 1.38 и 1.41 эВ соответственно.
- П. Блад, Д.В. Ортон. Зарубежн. радиоэлектрон., вып. 1, 3 (1981)
- В.Я. Принц, В.А. Самойлов. Микроэлектроника, 18, 416 (1989)
- Н.Б. Горев, С.А. Костылев, Т.В. Макарова, Е.Ф. Прохоров, А.Т. Уколов. ФТП, 23, 357 (1989)
- С.Н. Филиппов, С.Д. Братишко, Ю.Ю. Федоров, Е.М. Огурцова, В.С. Соснин. Электрон. техн., сер. Электроника СВЧ, вып. 3 (417), 40 (1989)
- К.Д. Глинчук, А.В. Прохорович. Полупроводниковая техника и микроэлектроника, вып. 13, 16 (1973)
- E.V.K. Rac, N. Duhamel. J. Appl. Phys., 49, 3458 (1978)
- K.D. Glinchuk, A.V. Prokhorovich, N.S. Zayats. Phys. St. Sol. (a), 82, 503 (1984)
- K.R. Elliot. Appl. Phys. Lett., 42, 274 (1983)
- Hal Bogardus, H. Barry Bebb. Phys. Rev. B, 176, 993 (1968)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
