Впервые в n-GaAs наблюдалась фосфоресценция, связанная с высвобождением дырок из метастабильных состояний, происходящая при фотоионизации глубоких уровней. Обнаружено, что фотоионизация сопровождается сильным перезахватом неосновных носителей на глубокие уровни. Сделан вывод об определяющей роли глубоких уровней в компенсации нелегированных слоев, выращенных методом газотранспортной эпитаксии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.