Методами низкотемпературной фотолюминесценции и нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней исследованы эпитаксиальные слои арсенида галлия, полученные газофазовой эпитаксией из металлоорганических соединений, легированные изовалентной примесью - индием. Обнаружено, что даже при весьма низкой концентрации индия (<2· 10¹⁹ см^-3) происходят заметные изменения концентраций мелких доноров и акцепторов, а также глубоких уровней. Полученные экспериментальные данные анализируются с учетом результатов предшествующих исследований изовалентного легирования арсенида галлия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.