Исследовано влияние ультразвуковой обработки (УЗО) на характеристики шоклиридовской рекомбинации через акцепторные уровни собственных дефектов в кристаллах n-Cd_xHg_1-xTe (x~ 0.226). На основании экспериментальных температурных (77/180 K) зависимостей времени жизни ННЗ tau и холловских измерений при 77 К электрофизических параметров (n₀, mu_n) показано, что в зависимости от режимов УЗО наблюдаются как уменьшение числа рекомбинационных центров (рост tau), так и их увеличение (падение tau).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.