Методом химической кристаллизации из электрически активированной газовой фазы получены поликристаллические алмазные пленки на подложках из вольфрама. Установлено, что пленки состоят из кристаллитов, имеющих слоистое строение, и характеризуются размером видимых зерен и областей когерентного рассеяния. В интервале температур 150-900 К исследована температурная зависимость статической sigma_dc(T) и динамической sigma_ac(T) электропроводности пленок. Показано, что sigma_ac~ f^s, где f - частота 10²-10⁴ Гц, s - параметр, зависящий от T. Установлено, что sigma (T) носит активационный характер. Выделены три температурные области, в которых энергия активации определяется суммой энергий активации примесей и высотой барьера на границах областей когерентного рассеяния или на границах раздела кристаллитов. Высказано предположение о существенном влиянии температуры кристаллизации на высоту межкристаллитных барьеров. Показано, что исследованные поликристаллические алмазные пленки обладают высокой термостабильностью.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.