С помощью методики снятия подпороговых ВАХ получены данные о кинетике накопления и отжига поверхностных состояний (ПС) на границе раздела кремний-окисел кремния транзисторных МОП структур после облучения электронами с энергией 6 МэВ потоками 5· 10¹⁴-10¹⁷ см^-2. В распределении плотности ПС наблюдаются два максимума: первый расположен вблизи E_v+0.35 эВ, второй - вблизи E_c-0.34 эВ. Обнаружено, что потоковые зависимости плотности ПС имеют максимум вблизи 5· 10¹⁵см^-2. Показано, что кинетика изотермического отжига плотности ПС при температуре 200^oC в воздушной среде имеет двухстадийный характер: в течение первых 20 мин происходит резкое снижение плотности ПС, затем наблюдается ее медленное изменение. Временная зависимость плотности ПС аппроксимируется суммой двух экспонент. Представлены возможные модели, объясняющие качественно наблюдаемые потоковые и временные зависимости.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.