Найдено, что полоса ИК ФЛ, наблюдаемая в полуизолирующем GaP (i-GaP : Fe), входит составной частью в спектр ИК ФЛ дырочного GaP (p-GaP : Zn). Показано, что форма этой полосы вполне удовлетворительно может быть описана суперпозицией двух гауссоподобных составляющих с энергиями максимумов ~0.9 и 1.0 эВ. Природа полосы объясняется излучательной рекомбинацией через центры изолированного антиструктурного фосфора P_Ga. Составляющая ~0.9 эВ связывается с внутрицентровым переходом неравновесного электрона из возбужденного в основное состояние нейтрального P_Ga⁰, а составляющая ~1.0 эВ - с последующим излучательным захватом на P_Ga⁰ неравновесной дырки. Уширение полосы ИК ФЛ в p-GaP связывается с возрастанием интенсивности ее высокоэнергетической составляющей ~1.15 эВ, не наблюдаемой в i-GaP : Fe. Активация этой ФЛ объясняется введением акцепторной примеси (Zn) при наличии в кристалле антиструктурного фосфора. Последние, образуя в полупроводнике донориоподобный донорно-акцепторный комплекс (P_GaZn_Ga), формируют дополнительный канал излучательной рекомбинации на донорно-акцепторных парах (P_GaZn_Ga)⁺ - Zn_Ga^-.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.