Рассмотрена статистика носителей заряда в легированных дефектов (D) и электрически активных примесных центров (N) приблизительно равны. Получена существенная асимметрия температурной зависимости концентрации носителей в случаях N=<ssgtr D. При обсуждении экспериментальных данных показано, что они свидетельствуют в пользу соотношения N~ D. Исходя из этого предполагается, что при легировании неупорядоченных полупроводников закономерно возникают процессы самокомпенсации, вызывающие появление собственных дефектов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.