На основе тщательного анализа индуцированных нейтронным воздействием изменений в спектрах люминесценции p-GaAs(Zn) показано, что облучение кристаллов арсенида галлия быстрыми нейтронами приводит к сдвигу реакции термического разрушения комплексов V_AsZn_Ga на изолированные компоненты V_As и Zn_Ga в сторону более низких температур прогрева. Наблюдаемый эффект объясняется понижением термической стабильности комплексов V_AsZn_Ga вследствие уменьшения энергии связи компонентов комплекса из-за ассоциации последними подвижных радиационных дефектов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.