Изучено влияние легирования расплава Ga редкоземельной примесью Yb (0-0.1 ат %) на концентрацию доноров и акцепторов в GaP n- и p-типа проводимости. Показано, что концентрация доноров уменьшается только при больших содержаниях Yb в расплаве, а концентрация акцепторов уменьшается только в области малых уровней легирования. При больших концентрациях Yb происходит накачка акцепторного фона. Сделан вывод о том, что основной причиной увеличения подвижности электронов при легировании GaP иттербием является образование донорно-акцепторных пар.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.