Методом низкотемпературной фотолюминесценции проведено исследование комплексообразования в сильно легированном p-GaAs : Ge, полученном методом жидкофазной эпитаксии. Установлено, что при легировании образуются два центра рекомбинации, ответственных за полосы фотолюминесценции с homega=1.3 и 1.2 эВ. Показано, что концентрация этих центров увеличивается с увеличением температуры роста и в диапазоне концентрации p=5· 10¹⁷/ 1· 10¹⁹ см^-3 степенным образом зависит от концентрации легирующей примеси, причем показатель степени этой зависимости определяется температурой роста. Анализ этих данных позволил высказать предположение, что эти центры состоят из пары атомов германия и точечного дефекта, концентрация которого зависит от температуры роста, а при низких температурах эпитаксии - от концентрации легирующей примеси. В состав центра C входит, вероятно, вакансия мышьяка, а в состав центра D - междоузельный мышьяк или мышьяк на месте галлия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.