Приведены результаты исследования спектров ИК поглощения и электрофизических параметров в процессе изохронного (20 мин) отжига кристаллов Si, выращенных методом Чохральского ([O_i]=1.5·10¹⁸ см^-3, [C_s]=2·10¹⁷ см^-3), облученных в реакторе при температурах T₁=100-135 и T₂=500-570 K. Обнаружена корреляция между изменениями электронной проводимости, обусловленной кислородными термодонорами, и интенсивности полосы при 890 см^-1, после отжига при 450^oC одновременно достигающих максимума, значительно более высокого в Si, облученном при T₂. Предполагается, что комплексом, ответственным за поглощение при 890 см^-1, является метастабильный кластер Si₃O₂. Содержание кислород-углеродных комплексов, ответственных за поглощение при 920, 970, 1015 и 1060 см^-1, в Si, облученном при T₂, сохраняется более высоким, чем в кристаллах, облученных при T₁, на протяжении всего процесса термоотжпга в исследованном методом ИК спектрометрии интервале температур 300-550^oC.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.