Изучено влияние облучения быстрыми нейтронами и последующих изохронных отжигов на фотолюминесценцию легированных атомами Zn, Te кристаллов p-GaAs. Показано, что указанные воздействия приводят (помимо изменения интенсивности краевой полосы излучения) к появлению примесных полос излучения с энергиями максимума hnu_m (77 K) вблизи 1.26, 1.38, 1.18, 1.30 и 1.25 эВ, обусловленных излучательными переходами электронов в созданных радиационным (радиационно-термическим) воздействием парах As_iZn_Ga, V_AsZn_Ga, V_GaTe_As, Si_AsD и Si_As(V_GaV_As) соответственно.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.