Изучено влияние изовалентного легирования In и Sb на концентрацию комплексов, ответственных за длинноволновые полосы ФЛ (homega_C~= 1.3, homega_D~= 1.2 эВ), в сильно легированном p-GaAs : Ge. Показано, что концентрация обоих комплексов увеличивается при легировании индием; при легировании сурьмой концентрация комплекса C практически не изменяется, а концентрация комплекса D увеличивается с ростом содержания сурьмы в слоях.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.