Предложен эффективный метод расчета энергетического спектра носителей заряда в тонких и delta-легированных слоях полупроводников. Проведен численный расчет для delta-слоев GaAs n-типа, который сравнивается с расчетами других авторов и с некоторыми экспериментальными данными. Показано, что форма потенциальной ямы вблизи delta-слоя, полученная в приближении Томаса-Ферми, слабо отличается от найденной самосогласованным расчетом. Изучено влияние на спектр носителей заряда граничного электрического поля, вызванного закреплением уровня Ферми на поверхности GaAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.