На примере AlGaAs-гетероструктур солнечных фотоэлементов (ФЭ) рассматриваются методика построения вольт-амперной характеристики (ВАХ) p-n-перехода и измерение внутреннего коэффициента собирания фотогенерированных носителей (Q_i) с использованием только люминесцентных данных (интенсивностей фото- и электролюминесценции) при фотовозбуждении. Сигнал ЭЛ выделяется за счет того, что малая часть гетероструктуры затеняется от возбуждающего излучения и работает как светодиод, в то время как остальная часть работает в режиме холостого хода. Напряжение измеряется в процессе сравнения сигналов ЭЛ исследуемой гетероструктуры и контрольного ФЭ с контактами. Получены аналитические выражения для Q_i (в абс. ед.), а также для коэффициента инжекции p-n-перехода и параметра рекомбинационной компоненты ВАХ с использованием интенсивностей ФЛ и ЭЛ (в отн. ед.). Описываемая бесконтактная методика измерений может быть применена при совершенствовании приборных структур с p-n-переходом в люминесцирующем материале, например, AlGaAs-гетероструктур светодиодов, биполярных транзисторов и ФЭ различного назначения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.