Исследовано магнитосопротивление слабо компенсированного p-Si<B> с N_a~=6·10¹⁶/2·10¹⁸ см^-3 при H=0/36 кЭ и T=4.2/40 K в стационарных условиях (T=20/40 K) и при лазерном и фоновом фотовозбуждении дырок (T=4.2 K) в верхнюю зону Хаббарда (ВЗХ). Показано, что появление отрицательного магнитосопротивления (ОМС) связано только с проводимостью по ВЗХ, причем ОМС объясняется в рамках теории квантовых поправок к проводимости за счет слабой локализации дырок. Найденное время сбоя фазы волновой функции tau_varphi близко к tau_ph - времени релаксации импульса дырки при рассеянии на акустических фононах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.