Исследованы электрические свойства (электропроводность, коэффициент Холла и подвижность) и фотоэлектрические свойства как нелегированных, так и легированных марганцем узкозонных твердых растворов Ga_1-xIn_xSb_1-yAs_y (0.76<x<1). Обнаружен уровень E_D=E_c-(0.09-0.1) эВ, который отождествляется со структурным дефектом. Легирование марганцем приводит к возникновению мелкого водородоподобного акцепторного центра с энергией активации E_A~0.025 эВ и позволяет перекомпенсировать исходный материал и получить слои p-типа с концентрацией дырок p=10¹⁶-10¹⁹ см^-3. Определен коэффициент сегрегации марганца k_Mn=0.06-0.08. В твердых растворах, изопериодных к GaSb и InAs, экспериментально определены значения ширины запрещенной зоны. Установлено, что E_g практически не зависит от состава твердого раствора в интервале значений 0.76<x<1.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.