Исследовались температурные зависимости коэффициента Холла, электропроводности и подвижности в твердых растворах Ga_1-xIn_xSb_1-yAs_y (x~= 0.1), легированных примесями Ge, Cd, Zn и Te. Показано, что среди акцепторных примесей только Ge позволяет получить материал p-типа с высокой концентрацией дырок (p>~=10¹⁹ см^-3). Примеси Gd и Zn можно использовать только при низком уровне легирования (меньше чем 5·10^-5 мол%), так как при дальнейшем легировании они плохо растворяются. При легировании Te происходит перекомпенсация (при 5·10^-5 мол% Te в расплаве), имеется возможность получения материала n-типа в широком интервале концентраций (n=<sssim10¹⁸ см^-3) с малой степенью компенсации (K<0.1).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.