Предложен новый метод определения коэффициентов ударной ионизации электронов alpha_n и дырок alpha_p в полупроводниках в слабых (E<10⁵ В/см) электрических полях. Метод основан на регистрации тока неосновных носителей, рожденных за счет ударной ионизации в квазинейтральной области (НО) обратносмещенного диода при подаче на него мощного импульса СВЧ колебаний. Для области малых значений коэффициентов ударной ионизации (alpha<1 см^-1) разработан простой алгоритм вычисления alpha(E) по измеренным значениям среднего тока через диод и падающего на диоде СВЧ напряжения. То, что ионизация ведется практически только одним типом носителей (основными носителями в НО), т. е. отсутствует проблема разделения вкладов электронов и дырок в ударную ионизацию, обусловило высокую чувствительность метода. В результате исследований определена зависимость alpha_n(E) в кремнии в недоступном для других методик диапазоне значений alpha=10^-3-10^-1 см^-1. Показано, что полученные результаты хорошо согласуются с предсказанным теорией переходом от межзонной ионизации к многоступенчатой через глубокие промежуточные уровни в запрещенной зоне полупроводника, однако выяснение природы этих уровней требует дальнейших исследований.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.