Совместно методами ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) получены композиционные зависимости энергетического положения потолка валентной зоны E_v(x) и главного максимума спектра валентных 5p-электронов теллура в твердых растворах (In₂Te₃)_x-(HgTe)_1-x. Установлено, что в этой системе в области x<0.1 наблюдается резкий сдвиг в положении особых точек, в том числе и E_v в сторону больших энергий связи. Подобное поведение E_v(x) объясняется влиянием d-электронов ртути и стехиометрических вакансий. Наличие последних позволяет объяснить различный характер поведения E_v(x) в системах Cd_xHg_1-xTe и (In₂Te₃)_x-(HgTe)_1-x.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.