Исследовано влияние изовалентного легирования индием на электрофизические и люминесцентные свойства, плотность дислокаций, параметр решетки и концентрацию глубоких уровней EL2 в эпитаксиальных слоях n-GaAs : S, выращенных в хлоридной газотранспортной системе. Обнаружено, что при концентрации индия ~1·10²⁰ см^-3 увеличиваются подвижность свободных электронов и эффективность краевой излучательной рекомбинации, уменьшаются концентрации центров EL2 и глубоких центров, ответственных за линии фотолюминесценции 1.2 и 0.9 эВ, а также плотность дислокаций.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.