Проведены исследования фоточувствительности фотодатчиков (диодов Шоттки) n-i-Pd на основе a-Si : H и его сплавов, а также фотопроводимости структур Al-a-Si : H-Al в широком спектре энергий фотонов (1.5 =< hnu =< 6.3 эВ) при T=300 K. Показана возможность сдвига красной границы спектра фоточувствительности в зависимости от толщины и состава i-слоя. Исследования квантовой эффективности внутреннего фотоэффекта с учетом измеренных коэффициентов поглощения и отражения позволяют утверждать, что в a-Si : H в УФ диапазоне спектра имеет место процесс ударной ионизации носителей заряда и он носит явно выраженный пороговый характер при энергиях varepsilon_i=3.6 эВ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.