Исследованы свойства слоев, полученных имплантацией ионов Si, P, Ar, Se, Ga, Kr и их комбинациями Si + P, Si + Ar, Se + Ga, Se + Kr в подложки полуизолирующего GaAs : Cr. Показано, что совместная имплантация изовалентной (P, Ga) и донорной (Si, Se) примесей позволяет повысить концентрацию и подвижность электронов в слое. Обсуждаются вероятные причины этого явления.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.