Теоретически исследована зависимость энергии связи экситонов от температуры в гетероструктурах с квантовыми ямами. Показано, что при понижении температуры энергия связи экситонов в квантовых ямах может значительно уменьшаться из-за убывания длины экранирования. Приведены результаты численных расчетов температурной зависимости энергии связи экситонов для гетероструктур AlAs-GaAs и In_0.35Ga_0.65As-GaAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.