Исследовалась низкотемпературная магнитофотолюминесценция структуры, состоящей из эпитаксиальной пленки нелегированного InSb толщиной 5 мкм на квазиполуизолирующей подложке p-InSb с p=7·10¹² см^-3. В спектре фотолюминесценции (ФЛ) структуры наблюдались полосы излучения, обусловленные межзонной и примесной рекомбинацией носителей в эпитаксиальной пленке. В магнитном поле в спектре ФЛ структуры появляются полосы излучения, обусловленные рекомбинацией свободных диамагнитных экситонов. По зависимости полуширины полосы излучения связанных экситонов в спектре ФЛ квазиполуизолирующей подложки от температуры оцениваются концентрации акцепторов (N_A=4·10¹³ см^-3) и степень компенсации (K=0.8).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.