Исследовалась возможность нейтронного трансмутационного легирования и его влияния на фотолюминесцентные и фотоэлектрические свойства Cd_xHg_1-xTe. Установлено, что при облучении n-Cd_xHg_1-xTe (x=0.2-0.3) тепловыми нейтронами флюенсом 10¹⁷-10¹⁸ см^-2 и последующем термическом отжиге в насыщенных парах ртути образуется материал p-типа проводимости, концентрация дырок в котором зависит от дозы облучения. Наиболее вероятным источником акцепторов является ядерная реакция ¹⁹⁶Hg₈₀(n,gamma)¹⁹⁷Hg₈₀ ->¹⁹⁷Au₇₉, что подтверждается активационным анализом. Нейтронное легирование не приводит к сильным изменениям фотоэлектрических и фотолюминесцентных свойств. Изменение времени жизни неравновесных носителей в Cd_xHg_1-xTe (x~0.2) обусловлено изменением концентрации равновесных носителей заряда, введения же глубоких рекомбинационных центров не наблюдается. В спектре фотолюминесценции нейтронно легированного Cd_xHg_1-xTe (x~0.3) наблюдается появление новой полосы излучения, обусловленной введением акцепторов с энергией ионизации E_A=19-22 мэВ. По изменению полуширины полосы излучения проведены оценки концентрации акцепторов N_A= 2·10¹⁶ см^-3 и степени компенсации K=0.85.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.