С помощью оптического метода наблюдения эволюции электрического поля, использующего эффект Франца-Келдыша, исследовалась обратно смещенная p-i-n-структура на основе слабо легированного арсенида галлия. Обнаружено, что экранирование поля в объеме структуры происходит в два этапа. На первом этапе после включения напряжения устанавливается квазистационарное распределение поля в i- и n⁰-слоях за время t<1 мкс. Распределение поля в p⁰-слое при этих малых временах остается однородным. На втором этапе происходит экранирование в p⁰-слое с вытеснением поля в i- и n⁰-слои за время t~1 с, которое определяется темпом ионизации глубокого акцепторного уровня. Дано описание наблюдаемой эволюции поля. Определен ряд параметров структуры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.