Теоретически и экспериментально рассмотрены динамические характеристики мощных импульсных GaAs/AlGaAs-суперлюминесцентных светодиодов (СЛД). Предложена математическая модель, описывающая временную зависимость концентрации инжектированных в активную область неосновных носителей заряда, а также временную зависимость мощности излучения СЛД при накачке импульсами прямого тока. Результаты расчета сопоставляются с экспериментальными данными. Получена импульсная мощность излучения СЛД 1.8 Вт при токе накачки 12 А. Минимальная зафиксированная длительность нарастания импульса света СЛД составляла 50 пс.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.