Исследованы электрические, фотоэлектрические и люминесцентные характеристики кристаллов CdS, выращенных при регулируемом избыточном давлении паров S и Cd. Установлена зависимость суммарной концентрации доноров, суммарной концентрации акцепторов, а также концентрации междоузельного кадмия от давления паров компонентов. Идентифицированы дефекты, концентрация которых изменяется при изменении давления паров S и Cd.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.