Определение сечения фотоионизации легирующих примесей в полупроводниках из измерений эффекта Холла
Веденеев А.С., Ждан А.Г., Рыльков В.В., Шафран А.Г.
Выставление онлайн: 20 мая 1992 г.
Определено сечение фотоионизации примесей Ga в Si <Ga> исходя из измерений фото-холл-эффекта. Развитый метод не чувствителен к выбору толщины образца, качеству освещаемой поверхности и флуктуациям активности возбуждающего излучения.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.