Исследуются электрические и фотоэлектрические свойства кристаллов Mn_xHg_1-xTe (x=0.09/0.12) в зависимости от зарядового состояния анодного окисла, нанесенного на поверхность образца. Основное внимание уделено эффекту влияния коротковолновой подсветки (KB) на параметры приповерхностных слоев полупроводника. Индуцируемое KB подсветкой новое состояние границы раздела окисел-полупроводник при низких температурах (T=<sssim80 K) сохраняется в течение длительного времени и вызывает существенные изменения характеристик фотопроводимости и фотомагнитного эффекта. Характер влияния KB подсветки на приповерхностные свойства кристаллов Mn_xHg_1-xTe позволяет предположить, что ответственные за зарядовое состояние окисла дефекты либо являются амфотерными, либо представляют собой дефекты донорного и акцепторного типа, концентрация которых зависит от параметра состава x полупроводника.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.