Проведен анализ спектров отражения и фотолюминесценции эпитаксиальных слоев ZnSe/GaAs (100), полученных методами молекулярно-лучевой эпитаксии и газофазной эпитаксии. Указан характер расщепления валентной зоны на подзоны тяжелых и легких дырок из-за деформационных эффектов. Обсуждается возможность рекомбинации связанных экситонов на одном нейтральном доноре в зависимости от эффективных масс дырок. Сделан вывод, что полученные слои являются экстремально чистыми, так как в них отсутствует излучение, связанное с донорно-акцепторными парами, самоактивированной люминесценции, и наблюдается интенсивное излучение в экситонной области с проявлением двухэлектронных переходов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.