Рассчитываются статические характеристики тонкопленочного полевого транзистора на основе аморфного гидрогенизированного кремния (a-Si : H). Распределение плотности локализованных состояний в области хвоста зоны проводимости в a-Si : H принимается в виде экспоненты с последующим линейным изменением. Получены аналитические выражения для характеристик, хорошо согласующиеся с экспериментальными данными.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.