Проведены магнитотранспортные исследования при гелиевых температурах на двух типах структур: с одним delta-легированным слоем (Si), выращенным на расстоянии L=200 Angstrem от поверхности GaAs, покрытой Al, и с двумя delta-слоями (L₁=200 и L₂=500 Angstrem), содержащими одинаковое количество доноров N~=6·10¹² см^-2. Для образца с одним delta-слоем измерены туннельные спектры и зависимости подвижности и концентрации двумерного электронного газа (ДЭГ) от напряжения V на затворе. Данные хорошо согласуются с результатами самосогласованных расчетов энергий и заполнения подзон в потенциальной квантовой яме (ПКЯ) для ширины delta-слоя Delta L=50 Angstrem, а поведение подвижностей в подзонах с концентрацией п ДЭГ позволяет сделать вывод о проявлении эффектов межподзонного рассеяния. Обнаружено, что скорость роста с n подвижности mu₁ в возбужденной подзоне ПКЯ значительно превышает скорость изменения mu₀(n). Такое поведение можно связать с усилением (при возрастании V) пространственного разделения подвижных электронов возбужденной подзоны и ионизованных примесей delta-слоя, что характерно для асимметричных ПКЯ delta-слоев. Данные для структуры с двумя delta-слоями качественно подтверждают этот вывод.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.