Методами фотолюминесценции и нарушенного полного внутреннего отражения исследовано лазерное геттерирование структурных и примесных дефектов в монокристаллическом GaAs. По ширине линий нарушенного полного внутреннего отражения, измеренного в области плазмон-фононного взаимодействия, и по интенсивности линий низкотемпературной фотолюминесценции установлены общее снижение уровня дефектности и перераспределение содержания легирующей примеси Si по толщине и поверхности образцов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.