Исследовано влияние изовалентного легирования галлием и мышьяком на электрофизические и люминесцентные свойства фосфида индия, выращенного методом жидкофазной эпитаксии. Проведено сравнение влияния изовалентных примесей III и V групп таблицы Менделеева на свойства InP и GaAs. Показано, что изменения концентраций мелких примесей и глубоких центров в этих соединениях A^IIIB^V носят сходный характер.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.