Исследовано влияние сульфидной пассивации на фотолюминесцентные свойства InAs и твердых растворов на его основе в зависимости от ориентации поверхности. С помощью метода рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии изучены химические связи, образующиеся при сульфидировании на поверхности InAs. Оказалось, что на стороне (111) A образуются как In-S-, так и As-S-связи, в то время как на стороне (111) B - только As-S-связи. Показано, что улучшение фотолюминесцентных свойств связано с уменьшением содержания на поверхности оксидов и элементарного мышьяка. Установлено, что после сульфидной обработки плотность поверхностных состояний уменьшается примерно на порядок.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.