Сообщается о результатах исследования электрических и оптических свойств гетероструктур In₂O₃-ZnSe-In и In₂O₃-ZnSe-CdTe-In. Приводятся вольт-амперные характеристики, спектры поглощения и фотолюминесценции. Показано влияние отжига на электрофизические свойства указанных гетероструктур. Показано, что: проводимость гетероструктуры In₂O₃-ZnSe-In на основе субмикронного слоя селенида цинка определяется приграничной с катодом концентрацией носителей, собственных или инжектированных, на краю подвижности полупроводника ZnSe; отжиг гетероструктуры способствует формированию неоднородного потенциального рельефа зон ZnSe; изменения потенциального рельефа зон, происходящие при отжиге, носят не только количественный, но и качественный характер.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.