На созданных диодных структурах Pd-p-p⁺-InP напылением в вакууме Pd на слои p-InP, полученные газовой эпитаксией, исследованы вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики и спектральная фоточувствительность. Установлено влияние глубоких центров захвата дырок большой плотности N_t<= 10¹⁵ см^-3 на электрические параметры диодов. Показано, что механизмы токопрохождения определяются двойной инжекцией в диффузионном приближении в p-слой. Установлено изменение темнового тока и фотоэдс в атмосфере водорода, достигающего соответственно 1.5 порядка и 100%. Показано, что это влияние водорода не связано с изменением работы выхода Pd, а определяется изменением свойств границ раздела Pd-промежуточный слой-InP (образованием дипольного слоя), наличием центров захвата дырок, что приводит к изменению дырочной и электронной темновой и световой компонент тока. Полученные результаты представляют практический интерес для создания датчиков водородосодержащих газов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.