Рассмотрен размерный эффект на длине остывания L_varepsilon и междолинной длине L_м в магнитосопротивлении многодолинных полупроводников. Ранее расчет этого размерного эффекта проводился только феноменологически и, как правило, исследовались раздельно размерный эффект на длине L_varepsilon и размерный эффект на длине L_м. В данной работе найдены решения кинетического уравнения для функций распределения в долинах f₀^(alpha)(varepsilon,y) при граничных условиях, отвечающих отсутствию детальных потоков на боковых поверхностях y=± d тонких пластин j^(alpha)_y(varepsilon,± d)=0. Рассмотрены квазиупругое внутридолинное рассеяние и неупругое, осуществляемое на фононе с энергией homega₀, междолинное. Показано, что физическая картина размерного эффекта принципиально отличается от феноменологической. Вычислены угловые и толщинные зависимости магнитосопротивления n-Si. Строго показано, что магнитосопротивление тонкого d<< L_s,L_м образца равно нулю.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.