Исследованы спектры фоточувствительности V_ф(homega) модулированно легированных гетероструктур (МЛГС) GaAs-n-Al_0.3Ga_0.7As при энергии квантов возбуждающего света homega>~=1.35 эВ и различной величине напряжения смещения U_см, а также кинетика фотоэдс V_ф(t) при различной интенсивности и разном спектральном составе импульсного освещения. Рассмотрены возможные механизмы формирования фотоотклика в исследованных гетероструктурах, приводящие, в частности, к резким изломам на экспериментальных кривых V_ф(t) и V_ф(U_см). Показано, что обнаруженные особенности фотоотклика можно использовать для определения величины изгиба зон (в том числе обогащающего) в слое GaAs на границе с Al_0.3Ga_0.7As в реальных МЛГС и проводить экспрессную экспериментальную оценку глубины двумерного электронного канала при комнатной температуре (не требуется изготовления омических контактов к слою GaAs и охлаждения образца до гелиевой или азотной температуры). Показана возможность использования спектров V_ф(homega) изготовленных МЛГС для определения эффективной диффузионной длины неосновных носителей в эпитаксиальных слоях GaAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.