Исследованы изменения спектров магнитофононных осцилляций второй производной продольного и поперечного магнитосопротивлений HgTe в условиях разогрева носителей электрическим полем под действием одноосного давления до 0.2 ГПа и при вращении вектора магнитного поля в плоскости (110) в импульсном магнитном поле до 33 Т при температуре решетки 4.2 K. Совокупность экспериментальных результатов позволяет идентифицировать пики, связанные с переходами из нижнего уровня Ландау зоны проводимости на определенные уровни Ландау валентной зоны с испусканием LO-фонона, а в области слабых магнитных полей - с испусканием пар TA-фононов. Определены параметры Латтинджера без учета и с учетом (отмечены звездочкой) нелокального потенциала обменного межэлектронного взаимодействия: gamma₁=-18.3±0.8, gamma₂=-11.8±0.6, gamma₃=-9.9±0.5, K=-9.1±0.5, gamma₃-gamma₂=1.9±0.1, gamma₁^*=-13.2, gamma₂^*=-8.2, gamma₃^*=-6.5, K^* =- 5.7. Гофрировка изоэнергетической поверхности валентной зоны и анизотропия циклотронных масс дырок HgTe больше, чем у Ge и InSb. Наблюдаются пики, связанные с переходами на уровни дефектов, отщепленные от краев зон на энергии от 1.7 до 9.4 мэВ. В области давлений, больших 0.1 ГПа, расстояния от уровней дефектов до краев зон не зависят от давления. На зависимости сопротивления деформированных образцов от магнитного поля имеется минимум, отвечающий относительному изменению сопротивления до 10³, обусловленный происходящим с ростом магнитного поля закрытием запрещенной щели, первоначально индуцированной деформированием кристалла, и последующим ее открытием.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.