На основании анализа экспериментальных результатов, полученных при исследовании гетеропереходов Si-GaAs методом релаксационной спектроскопии глубоких уровней, а также вольтфарадных и вольтамперных характеристик, предложена модель зонной диаграммы гетероперехода. Модель характеризуется большим разрывом зоны проводимости на границе раздела полупроводников (0.7 эВ).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.