Исследовано поглощение излучения СO₂-лазера в p-Ge с концентрацией примеси N_а-N_д=3·10¹⁶/2·10¹⁷ см^-3 в широком диапазоне изменения интенсивности излучения и температур. При низких температурах (T=<sssim25 K) обнаружено возрастание коэффициента поглощения с ростом интенсивности света. Показано, что нелинейность поглощения связана с разогревом дырочного газа в поле световой волны и возрастанием за счет этого вклада в поглощение света прямых фотопереходов носителей между зонами легких и тяжелых дырок.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.