Проведен анализ подвижности носителей тока в твердых растворах Ge_1-xSi_x исходя из предположения о неоднородном распределении атомов Si по образцу. Показано, что экспериментально найденная температурная зависимость подвижности как в p-, так и в n-материале удовлетворительно описывается в рамках диффузионного приближения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.