Исследованы температурные зависимости напряжения лавинного пробоя и коэффициентов ударной ионизации электронов и дырок в карбиде кремния политипов 6H и 15R в направлении электрического шля вдоль главной оси кристалла. Установлено, что температурная зависимость пробивного напряжения имеет сложное поведение из-за конкуренции вкладов падающего с ростом температуры дырочного коэффициента ионизации и резко растущего электронного. Установлено, что возрастание электронного коэффициента с ростом температуры есть следствие специфического для сверхструктуры усиления разогрева носителей в электрическом поле с ростом рассеяния. Предложена качественная модель электронного разогрева на основе представлений о локализации электронных состояний в естественной политипной сверхструктуре в сильном электрическом поле.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.