Исследованы температурные зависимости (T=40/300 K) спектров стационарной фотолюминесценции монокристаллов фосфида кадмия с концентрацией электронов N_e=(1/20)·10¹⁷ см^-3. С помощью нелинейно-оптического метода параметрического преобразования частоты ИК излучения в видимый диапазон измерены временные характеристики люминесценции Cd₃P₂ (lambda=1.9/2.3 мкм) при импульсном возбуждении (T~=100 K). Показано, что форма спектров излучения фосфида кадмия определяется двумя рекомбинационными каналами, характерными для сильно легированных вырожденных полупроводников: прямой межзонной рекомбинацией свободных электронов и дырок с постоянной времени спада tau₁=3·10^-8 с (B-B канал) и рекомбинацией с участием дырок, локализованных на состояниях "хвоста" валентной зоны (B-T канал, tau₂=1·10^-7 с). В образцах, подвергнутых дополнительной термообработке, повышающей на порядок концентрацию N_e, обнаружено значительное увеличение яркости люминесценции, вызванное возгоранием излучения за счет B-T канала рекомбинации. Обсуждаются зависимости пороговой интенсивности возбуждения и интервала температур, при которых в фосфиде кадмия наблюдалась лазерная генерация, от концентрации ионизированных центров в монокристаллах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.