Обнаружен эффект перестройки частоты полупроводникового светодиода с варизонной базой в поперечном магнитном поле. Сдвиг спектра излучения в область меньших энергий соответствует смещению области излучательной рекомбинации в часть базы с меньшей шириной запрещенной зоны. Одновременное уменьшение интенсивности излучения объясняется отклонением инжектированных носителей к поверхности базы и увеличением доли безызлучательной рекомбинации.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.