Методом переключения из прямого направления в обратное в p⁺-n- и p⁺-n-n⁺-структурах на основе 6H-SiC проведены измерения времени жизни дырок tau_p. Исследовались два типа диодов, различающихся базовым материалом n-типа: 1) промышленные монокристаллы с N_D-N_A~2·10¹⁸ см^-3, 2) эпитаксиальные пленки с N_D-N_A~2·10¹⁷ см^-3. Между этими диодами выявлены заметные различия в величине tau_p и его температурной зависимости. Результаты измерений интерпретируются в рамках теории каскадного захвата при наличии электрического поля, которое в данном случае, вероятно, обусловлено внутренними деформациями. Реальность такого предположения подтверждается весьма небольшой величиной необходимых деформаций S_i=3· 10^-8/3·10^-7 для создания полей порядка 10³/10⁴ В/см, возникающих, по-видимому, при эпитаксиальном наращивании p⁺(Аl)-слоя.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.